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[学位论文] 作者：冀先飞,,
来源：大连理工大学 年份：2014
作为第三代半导体材料,SiC具有宽禁带、高临界击穿场强、高热导率等优异的物理性质,在高温、大功率、高频电子器件中得到广泛关注。良好的欧姆接触是决定SiC器件性能的关键,...
[期刊论文] 作者：邓旭良,冀先飞,王德君,黄玲琴,
来源：物理学报 年份：2022
由于SiC禁带宽度大,在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度(SBH)非常重要.本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,结合平均静电势和局域态......
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