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[学位论文] 作者：冯武昌,,
来源：深圳大学 年份：2015
Zn O基薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)因其适合低温生长、具有较高迁移率和透明性等特点,很大可能取代传统的硅基TFT成为下一代显示背板技术的主流。利用射频磁控溅射...
[期刊论文] 作者：覃金牛, 温喜章, 冯武昌, 许望颖, 朱德亮, 曹培江,,
来源：深圳大学学报(理工版) 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：冯武昌,杨桂玲,孔祥媚,丁盼爽,刘敬波,张便利,,
来源：河北北方学院学报(自然科学版) 年份：2010
采用机械合金化（MA）法制备了Mg2Ni储氢合金并以机械合金化法以Ni对Mg2Ni合金电极进行了表面修饰.主要研究了以不同质量比的Ni对Mg2Ni储氢合金表面修饰后电化学性能的影响.测试...
[期刊论文] 作者：高庆庆, 冯武昌, 张忠健, 肖超, 皮陈炳, 蔡雪贤, 尚,
来源：武汉理工大学学报 年份：2014
采用传统的常压固相烧结方法制备了MgZnO陶瓷靶材,研究了MgO掺杂量及烧结温度对MgZnO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、力学性能和致密度的影响。通过XRD测定靶材相结构,SEM观...
[期刊论文] 作者：高庆庆, 冯武昌, 张忠健, 肖超, 皮陈炳, 蔡雪贤, 尚福亮,
来源：武汉理工大学学报 年份：2014
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[期刊论文] 作者：覃金牛,温喜章,冯武昌,许望颖,朱德亮,曹培江,柳文军,韩舜,
来源：深圳大学学报:理工版 年份：2019
为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光...
[期刊论文] 作者：覃金牛,温喜章,冯武昌,许望颖,朱德亮,曹培江,柳文军,韩舜,刘,
来源：深圳大学学报(理工版 年份：2019
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[期刊论文] 作者：覃金牛,温喜章,冯武昌,许望颖,朱德亮,曹培江,柳文军,韩舜,刘新科,方明,曾玉祥,吕有明,,
来源：深圳大学学报（理工版） 年份：2019
为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光...
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