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[学位论文] 作者：凌荣勋,,
来源：电子科技大学 年份：2020
功率集成电路是电路系统的能源“心脏”和动力源,在航空航天、核物理实验、核医疗等辐射环境有着重要的应用价值。因此,对功率集成电路进行抗辐照加固是十分有必要的。本文基于辐射机理,聚焦功率集成电路,提出了标准器件环栅化技术、关键泄漏电流补偿技术、负压......
[期刊论文] 作者：何林彦, 罗萍, 周枭, 凌荣勋,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2019
光电耦合器的核心模块是光电探测芯片。介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于 0.5 μm 标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制,内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源...
[期刊论文] 作者：蒋鹏凯,罗萍,吴昱操,凌荣勋,
来源：微电子学 年份：2021
介绍了一种对称矩形环栅NMOS器件结构,并对其等效宽长比的计算模型和总剂量效应加固性能进行了研究.通过区域划分、保角变换等方法,对该对称矩形环栅NMOS器件进行建模,给出了其等效宽长比的计算模型.在0.18 μm BCD工艺下进行流片,并对不同尺寸下直栅MOS器件和......
[期刊论文] 作者：周枭,罗萍,凌荣勋,吴昱操,蒋鹏凯,
来源：微电子学 年份：2019
对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究.对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无法实现小宽长比.分别在0.35μm和0.18 μm工...
[期刊论文] 作者：杨朋博,罗萍,肖皓洋,李博,凌荣勋,
来源：微电子学 年份：2019
采用 0.18μm CMOS工艺,设计了一种抗辐照压控振荡器.分析了总剂量辐照下普通压控振荡器输出频率出现较大偏差甚至失效的原因.针对辐照下 NMOS管的泄漏电流,提出了漏电流补偿...
[期刊论文] 作者：周枭,罗萍,凌荣勋,吴昱操,蒋鹏凯,
来源：微电子学 年份：2019
基于漂移扩散方程的理论模型,研究了总剂量辐射效应与偏压条件的关系,逐个分析了功率管中常用偏压条件对总剂量效应的影响.根据辐照过程中 SiO2 内部和 Si-SiO2界面处感生的...
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