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[会议论文] 作者：刘殿龙;杨志刚;张弛;,
来源：第十二届全国青年材料科学技术研讨会 年份：2009
Ni-Mo-P 合金可以作为Cu 互连材料的阻挡层应用在超大规模集成电路(ULSI)中.该文采用自组 装层(SAM)吸附钯替代在SiO2 表面溅射种子层的方法,实现了在SiO2 表面化学镀Ni-...
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