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[会议论文] 作者：刘玮;姜伟龙;逢金波;何青;孙云;,
来源：第十一届中国光伏大会暨展览会 年份：2010
本文采用低温三步法制备半导体黄铜矿CuIn1-χGaχSe2(CIGS)薄膜。即第一步衬底温度为350℃，第二、三步均为450℃。以CIGS薄膜为吸收层制备结构为SLG/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZnO：Al/N...
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