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[学位论文] 作者：刘锋凯,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2023
SiO2层中缺陷对双极晶体管电离辐射损伤影响至关重要,SiO2中通常存在三种前驱体缺陷形式:非桥氧空穴中心、缺氧中心和过氧键。这些前驱体缺陷形成两类缺陷状态,即深能级缺陷和浅能级缺陷,且两类缺陷以含氢和不含氢形式存在。前驱体缺陷可释放质子形成界面态,同......
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