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[学位论文] 作者：匡维哲,
来源：电子科技大学 年份：2023
随着科技进步与社会发展,GaN高电子迁移率晶体管（GaN High Electron Mobility Transisitor）凭借其宽禁带、高工作频率、高临界击穿电场等独特优势已成为半导体技术领域的研究热点,其中P-GaN栅增强型GaN HEMT器件（P-GaN HEMT,P-GaN Gate E-Mode Al GaN/GaN HEMT）功率......
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