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[学位论文] 作者：单尼娜,
来源：北京工业大学 年份：2010
从上世纪90年代开始，DC/DC（Direct-current）电源模块作为二次电源广泛应用于太空辐射环境下。VDMOS（Vertical Double-diffused Metal OxideSemiconductor，垂直双扩散场效应晶体管）...
[期刊论文] 作者：王立新,单尼娜,刘刚,韩郑生,夏洋,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2012
对2种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究,条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势,中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐...
[期刊论文] 作者：王立新,单尼娜,夏洋,宋李梅,韩郑生,,
来源：电子设计工程 年份：2012
为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170-340℃温度范围内序进应力加速寿命...
[期刊论文] 作者：郭春生,单尼娜,冯士维,马卫东,,
来源：物理学报 年份：2010
针对序进应力加速实验理论模型中数学算法的误差,提出一种新的计算模型,新模型利用计算机编程辅助计算,显著地减小了模型误差.利用新、旧模型算法对理论数据进行计算,表明原...
[期刊论文] 作者：单尼娜,吕长志,马卫东,李志国,
来源：半导体技术 年份：2004
基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况,得出在两种工作状态下均...
[期刊论文] 作者：单尼娜,吕长志,马卫东,李志国,郭春生,,
来源：半导体技术 年份：2010
基于恒定电应力温度斜坡法（CETRM），对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究，考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况，得出在两种工作状态下均是跨导......
[期刊论文] 作者：单尼娜,吕长志,李志国,张小玲,郭春生,朱春节,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
对VDMOS各样品进行总剂量3KGy（Si）的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因。然后研究了辐照后VDM...
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