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[会议论文] 作者：卢励吾[1]张砚华[1]徐遵图[1]徐仲英[1]王占国[1]J.Wang[2]WeikunGe[2],
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
研究分子束外延(MBE)生长的应变InGaAs/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了InGaAs/GaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光...
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