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[学位论文] 作者：卢烁今,,
来源：山东大学 年份：2007
将晶体三极管的基极和集电极短路，放在恒温烘箱中，待温度稳定后，测量在该温度下输入电流IF依次为1mA，2mA，5mA，10mA，20mA时发射结正向压降VBE的数值，这样测量得到的数据称为本底数据。......
[学位论文] 作者：卢烁今,
来源：山东大学 年份：2007
将晶体三极管的基极和集电极短路，放在恒温烘箱中，待温度稳定后，测量在该温度下输入电流I依次为1mA，2mA，5mA，10mA，20mA时发射结正向压降VBE的数值，这样测量得到的数据称为本底数据。......
[期刊论文] 作者：卢烁今,刘梦新,韩郑生,,
来源：半导体学报 年份：2009
The thermal conductance of devices with different body contacts is studied.A new analytical expression is proposed.This expression can be used in parameter extr...
[期刊论文] 作者：朱阳军,苗庆海,张兴华,卢烁今,,
来源：半导体学报 年份：2007
克服了器件在大电流测试时温度系数测不准的难题,帮助国际标准完善了实时测量和在线测量结温的方法,即在加热的同时,不改变加热状况的情况下,直接把加热电流当作测量电流,借...
[期刊论文] 作者：苗庆海,朱阳军,张兴华,卢烁今,,
来源：半导体学报 年份：2006
晶体管在耗散功率时，结温分布一般不均匀．在晶体管子管并联模型的基础上，经过实验和理论模拟计算及验证发现：结温分布不均匀时，高温区的电流密度大于低温区的电流密度；测试电流越小......
[期刊论文] 作者：朱阳军,苗庆海,张兴华,卢烁今,,
来源：半导体学报 年份：2007
对于从红外热像图得到的实际的晶体管结温分布,通过热谱分析方法获得该温度分布对应的热谱曲线,进而建立了晶体管子管并联模型,并在此基础上,经过实验和理论计算证实了pn结中...
[期刊论文] 作者：朱阳军,苗庆海,张兴华,卢烁今,
来源：半导体学报 年份：2005
使用自编的分析软件，根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析，给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线，一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况......
[期刊论文] 作者：苗庆海,朱阳军,张兴华,卢烁今,
来源：半导体学报 年份：2004
晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现:结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电...
[期刊论文] 作者：张文亮,朱阳军,卢烁今,田晓丽,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors(RC-IGBT). Mathematical...
[期刊论文] 作者：卢烁今,王立新,陆江,刘刚,韩郑生,,
来源：半导体学报 年份：2009
The influence of electron irradiation on the switching speed in insulated gate bipolar transistors(IGBT) with different epitaxial layer thicknesses is discussed...
[期刊论文] 作者：贾艳,陈宏,谭骥,卢烁今,朱阳军,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
A novel high performance Semi SJ-CSTBT is proposed with the p-pillar under the bottom of the trench gate. The inserted p-pillar with the neighbouring n-drift re...
[期刊论文] 作者：朱阳军,苗庆海,张兴华,Yang Lieyong,卢烁今,
来源：半导体学报 年份：2007
克服了器件在大电流测试时温度系数测不准的难题，帮助国际标准完善了实时测量和在线测量结温的方法，即在加热的同时，不改变加热状况的情况下，直接把加热电流当作测量电流，借助于校......
[期刊论文] 作者：苗庆海,卢烁今,张兴华,宗福建,朱阳军,
来源：半导体学报 年份：2008
以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-（T）特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点...
[期刊论文] 作者：陆江,王立新,卢烁今,王雪生,韩郑生,,
来源：半导体学报 年份：2011
The ability of high-voltage power MOSFETs to withstand avalanche events under different temperature conditions are studied by experiment and two-dimensional dev...
[期刊论文] 作者：苗庆海,卢烁今,张兴华,宗福建,朱阳军,,
来源：半导体学报 年份：2008
以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-(T)特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚...
[期刊论文] 作者：张广银,沈千行,喻巧群,卢烁今,朱阳军,,
来源：微电子学与计算机 年份：2017
为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾，引入了超级结（sJ）器件，通过引入横向电场来提高击穿电压．针对工艺中非对称pillar的设计需求，建立了非对称的研究分析模型，通过......
[期刊论文] 作者：戴庆芸,田晓丽,张文亮,卢烁今,朱阳军,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
This paper concerns the need for improving the static and dynamic performance of the high voltage insulated gate bipolar transistor(HV IGBTs). A novel structure...
[期刊论文] 作者：田晓丽,陆江,滕渊,张文亮,卢烁今,朱阳军,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
The static avalanche breakdown behavior of 4.5 kV high-voltage IGBT is studied by theory analysis and experiment. The avalanche breakdown behaviors of the 4.5 k...
[会议论文] 作者：朱阳军,韩郑生,卢烁今,苗庆海,张兴华,Yuan Miao,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
使用电学方法测量半导体器件的结温分布，几十年来一直是微电子领域的一个世界性的科教难题。本文提出了一种崭新的测量器件结温分布的电学方法，即晶体管热谱分析方法。不同......
[会议论文] 作者：朱阳军,苗庆海,Yuan Miao,张兴华,韩郑生,卢烁今,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
使用电学方法测量半导体器件的结温分布，几十年来一直是微电子领域的一个世界性的科教难题。本文提出了一种崭新的测量器件结温分布的电学方法，即晶体管热谱分析方法。不同于传统测试方法中使用的单一测量电流，热谱分析方法通过多阶梯恒流测量温敏参数，并利用小电流......
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