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[会议论文] 作者：陈清;付梦琦;史团伟;,
来源：中国真空学会2014年年会 年份：2014
窄带隙Ⅲ-Ⅴ 族半导体InAs 有很高的电子迁移率，容易和金属形成欧姆接触，在光电器件和电子器件方面有广泛的应用前景.研究表明，基于InAs 纳米线的场效应器件可望具有很优异......
[会议论文] 作者：申钧,史团伟,张朝英,陈清,
来源：中国物理学会2011年秋季学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：陈清,付梦琦,史团伟,王小耶,杨涛,潘东,赵建华,
来源：第十四届全国青年材料科学技术研讨会 年份：2013
InAs 材料有很高的电子迁移率和小的有效质量，在高频器件、红外探测等多个领域都有广泛的应用前景。基于InAs 纳米线的器件在一些方面具有优于现有硅器件的性能，受到人们的......
[会议论文] 作者：王小耶,李天锋,杨晓光,罗帅,季海铭,杨涛,史团伟,陈清,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成...
[会议论文] 作者：王小耶,史团伟,李天锋,杨晓光,罗帅,季海铭,陈清,杨涛,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。......
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