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[会议论文] 作者：史衍丽[1]何雯瑾[1]张卫锋[1]胡锐[1]邓功荣[1]徐应强[2]牛智川[2],
来源：第10届全国光电技术学术交流会 年份：2012
InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料因为特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率；另外,通过调节材料参数调节能带结构,器...
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