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[期刊论文] 作者：于宗光,叶守银,
来源：半导体技术 年份：2000
提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路。该电路设计思想新颖 ,可在不影响电路工作的情况下 ,对正负过压都能起良好的保护作用。...
[会议论文] 作者：叶守银,夏树荣,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：叶守银,祁建华,徐惠,,
来源：电子与封装 年份：2012
文章通过分析SPARTAN—IIFPGA（FieldProgrammableGateArrays）器件的结构及其连线资源分布特点，寻找一种能够快速配置测试、具有高测试覆盖率的测试配置设计，丈中所提出的连线资源...
[期刊论文] 作者：卢尔健,张志勇,叶守银,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2002
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：于宗光,夏树荣,叶守银,黄卫,
来源：微电子技术 年份：1997
一、概述对E2PROM来说，可靠性是至关重要的。主要的可靠性指标有耐久性和数据保持特性。耐久性是E2PROM可反复擦／写的能力，通常用E2PROM的擦／写阈值电压随擦／写周期的变化来表示；保......
[期刊论文] 作者：于宗光,傅斌,徐征,叶守银,赵文彬,
来源：微电子技术 年份：1998
本文在分析Flashmemory单元工作原理的基础上，建立了Flashmemory单元的简化模型，建立了优化设计理论，并对Flashmemory单元的可靠性进行了全面的考虑。...
[期刊论文] 作者：于宗光,叶守银,夏树荣,徐征,杨功成,
来源：半导体技术 年份：2000
提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路。该电路设计思想新颖 ,可在不影响电路工作的情况下 ,对正负过压都能起良好的保护作用。A kind of input protecti...
[期刊论文] 作者：于宗光,徐征,叶守银,张国华,黄卫,王万业,许居衍,
来源：电子学报 年份：2000
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的...
[期刊论文] 作者：于宗光,徐征,叶守银,夏树荣,傅斌,黄卫,许居衍,
来源：微电子学 年份：1998
论述了Ｅ２ＰＲＯＭ的设计技术，包括单元设计、升压电路设计、存储阵列设计等，然后扼要介绍其工艺过程和关键工艺，最后给出了Ｅ２ＰＲＯＭ单元和电路的性能。The design technique of E2PROM is discus......
[期刊论文] 作者：于宗光,陆锋,徐征,叶守银,黄卫,王万业,许居衍,
来源：电子学报 年份：2000
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持...
[期刊论文] 作者：于宗光,叶守银,傅斌,许居衍,夏树荣,黄卫,徐征,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型，模型的模拟结果和实验结果相吻合，该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。A current-voltage model of FLOTOXE2PROM memory tube is p......
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