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[期刊论文] 作者：叶立剑,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1981
本文简述了干法腐蚀的现状、原理及其反应装置.给出了在圆筒型反应器中氮化硅薄膜的均匀刻蚀以及硅表面的平滑抛光的工艺条件,同时,也给出了在此工艺条件下,单晶硅、氮化硅、...
[期刊论文] 作者：叶立剑,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
南京固体器件研究所研制的8GHz广播电视接力系统无人值守中继检测会于1984年9月5日至9日在江苏省南京市召开。会议由广播电视部技术局、电子工业部元器件工业管理局、通信广...
[期刊论文] 作者：叶立剑,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
南京固体器件研究所于1983年12月下旬在南京召开了第十一次科研成果鉴定会。来自全国55个单位的90余名代表出席了会议。代表们听取了提请鉴定报告,并抽测实物样品、分组进行...
[期刊论文] 作者：叶立剑,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
中国电子学会第二届毫米波亚毫米波学术年会于一九八三年十月二十七日在南京召开,历时四天.出席本届年会的有四十五个单位,近百名代表,发表论文八十余篇.真空电子学著名专家...
[期刊论文] 作者：叶立剑,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
南京固体器件研究所在国内有关单位的协作下,在一九八二年,进行了两次科研成果鉴定,现将主要项目介绍如下.第九次科研成果鉴定会于八月中旬召开,主要项目是:Nanjing Instit...
[期刊论文] 作者：叶立剑,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
南京固体器件研究所于一九八四年十二月进行了两次科研成果鉴定.十二月三日在南京召开了第十二次科研成果鉴定会.九项成果通过了电子工业部部级鉴定,八项成果通过了局级鉴定,...
[期刊论文] 作者：叶立剑,邹勉,杨小慧,,
来源：半导体技术 年份：2008
绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计...
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