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[期刊论文] 作者：甘雨,范志康,向华兵,
来源：铸造技术 年份：1994
在实验室条件下系统地研究了Ｃ，Ｓｉ两元素对用于制造玻璃模具的水平连铸灰铁型材的抗氧化，抗生长和耐热疲劳动性能的影响。结果表明：Ｃ，Ｓｉ两元素的影响具有相反的方向，综合分析比较后，确定了......
[期刊论文] 作者：廖乃镘,林海青,向华兵,李贝,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2013
表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙...
[期刊论文] 作者：李嘉荣,柳百成,向华兵,童汉京,谢永通,
来源：现代铸铁 年份：1995
采用正交试验的方法、浇注一系列铸件，测量铸件的冷却曲线，解剖铸件，测定铸件质量、铸件及缩孔体积，研究了碳当量、孕育、铸件模数以及铸型条件对湿型球铁件收缩特性及缩孔缩松的......
[期刊论文] 作者：岳志强,曲鹏程,杨修伟,向华兵,廖乃镘,
来源：半导体光电 年份：2020
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究, 并对PCM测试结果进行统计分析, 以达到测试结果用于工艺改进的目的, 并最终获取最佳工艺条件。结果表明: 低压化学......
[期刊论文] 作者：李华高,赵梁博,邓涛,曾武贤,向华兵,熊玲,,
来源：半导体光电 年份：2010
采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;...
[期刊论文] 作者：龙飞,廖乃镘,向华兵,罗春林,阙蔺兰,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2013
多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多晶硅形貌对击穿特性的影响。研究结果表明,减...
[期刊论文] 作者：廖乃镘,赵志国,阙蔺兰,向华兵,李贝,李仁豪,
来源：半导体光电 年份：2015
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明, 在氮化硅淀积工艺中, NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施, 氧化工艺Fe......
[期刊论文] 作者：廖乃镘,刘晓琴,杨修伟,寇琳来,罗春林,向华兵,伍明娟,李仁豪,
来源：半导体光电 年份：2017
利用无掩模反应离子刻蚀法制备黑硅, 研究了黑硅微结构密度和高度对其光学特性的影响。采用场发射扫描电子显微镜和带积分球的紫外-可见-近红外分光光度计分别表征黑硅微结构形貌和光学特性。研究结果表明, 黑硅微结构密度增大和高度增加, 则黑硅吸收率增大, 高......
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