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[学位论文] 作者：吕志培,
来源：湖南大学 年份：2021
碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适用于高压、大功率应用的第三代功率半导体器件,但是,目前Si C MOSFET器件的沟道迁移率和可靠性差强人意,这主要是因为热氧化生长的......
[期刊论文] 作者：吕志培;郭红军,
来源：中州学刊 年份：1985
近两年,经济理论界一些致力于研究经济技术发展战略和区域发展战略的同志,鉴于生产力发展不平衡的基本现实,把全国划为“先进技术”、“中间技术”、“传统技术”三个地带,提出了“梯度推移”理论和经济技术由沿海向边远地区推移滚动的战略模式。 从全国范围讲......
[期刊论文] 作者：甘欣荣,邹银兵,吕志培,
来源：江汉大学学报 年份：1999
本文从发展的观念出发，从宏观和微观两个方面探讨了转变经济增长方式的具体措施。Based on the concept of development, this paper explores the specific measures to ch...
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