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[期刊论文] 作者：吴昱操,罗萍,蒋鹏凯,
来源：微电子学 年份：2021
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱......
[期刊论文] 作者：蒋鹏凯,罗萍,吴昱操,凌荣勋,
来源：微电子学 年份：2021
介绍了一种对称矩形环栅NMOS器件结构,并对其等效宽长比的计算模型和总剂量效应加固性能进行了研究.通过区域划分、保角变换等方法,对该对称矩形环栅NMOS器件进行建模,给出了其等效宽长比的计算模型.在0.18 μm BCD工艺下进行流片,并对不同尺寸下直栅MOS器件和......
[期刊论文] 作者：周枭,罗萍,凌荣勋,吴昱操,蒋鹏凯,
来源：微电子学 年份：2019
对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究.对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无法实现小宽长比.分别在0.35μm和0.18 μm工...
[期刊论文] 作者：周枭,罗萍,凌荣勋,吴昱操,蒋鹏凯,
来源：微电子学 年份：2019
基于漂移扩散方程的理论模型,研究了总剂量辐射效应与偏压条件的关系,逐个分析了功率管中常用偏压条件对总剂量效应的影响.根据辐照过程中 SiO2 内部和 Si-SiO2界面处感生的...
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