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[学位论文] 作者：吴灵犀,,
来源： 年份：2008
尽职调查是私人股权投资过程中的关键环节,也是实务性很强的环节。因此如何从理论上对尽职调查进行理解、分析、指导一直以来都是棘手的问题,而国内理论界对于在中国PE投资过...
[期刊论文] 作者：吴灵犀,
来源：家长 年份：2022
＜正＞幼儿喜欢亲近大自然，好奇心异于成年人，对周边的许多新鲜东西感兴趣。在种植坊主题区活动中将环保教育融入幼儿的学习和生活，幼儿通过自己亲身的探索和发现，感知生命的多样性，萌发环保意识。教师通过创设环境、一日活动、混龄活动，兴趣激发、丰富认知、生活经验迁移......
[期刊论文] 作者：陈廷杰,吴灵犀,
来源：半导体学报 年份：1989
本文用4.2K光致发光研究了LEC GaAs的热感生缺陷.热退火时样品分别为无包封,包封或用一个未掺杂的SI-GaAs片覆盖.退火温度为650-850℃,退火在不同气氛下进行(真空,H_2,N_2,H_...
[期刊论文] 作者：胡天斗,梁基本,庄蔚华,孙殿照,吴灵犀,
来源：发光学报 年份：1987
本文报道利用国产分子束外延(MBE)设备和Be元素生长的p-GaAs的低温光荧光谱,观察到FE,(D°,X),(A°,X),(D~+,X)等束缚激子发光,判断外延层有较好的质量。在1.503～1.515eV之间...
[期刊论文] 作者：吴灵犀,刘巽琅,叶式中,孟庆惠,李永康,
来源：半导体学报 年份：1984
研究了高压液封直拉InP 单晶在 4.2 K、1.8K和 4.2至～40K三种温区的光致发光谱.除看到了1.416eV处的近带边峰和1.1-1.2eV处与P空位有关的络合物峰外,还观察到1.377eV(A峰)和1....
[期刊论文] 作者：陈廷杰,吴灵犀,王占国,何宏家,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1989
本文用4.2K光致发光研究了LEC GaAs的热感生缺陷.热退火时样品分别为无包封,包封或用一个未掺杂的SI-GaAs片覆盖.退火温度为650-850℃,退火在不同气氛下进行(真空,H_2,N_2,H_...
[期刊论文] 作者：于鲲,孟庆惠,李永康,吴灵犀,陈廷杰,徐寿定,
来源：半导体学报 年份：1981
砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究...
[期刊论文] 作者：陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,孟庆惠,于鯤,李永康,
来源：发光与显示 年份：2004
本文用光致发光法(4.2°K和1.8°K)研究高纯度LPE—GaAs和VPE—GaAs的剩余受主杂质。实验结果表明,高纯LPE—CaAs的剩余受主杂质为C、Si、Ge,而在AsCl_3—Ga—H_2系统中生长...
[期刊论文] 作者：孟庆惠,于鲲,李永康,许振嘉,陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,
来源：半导体学报 年份：1983
本文介绍了用液氮温度光荧光谱测定硅中磷、硼含量的方法.磷、硼浓度的校准曲线由变温霍耳系数的实验结果所确定....
[期刊论文] 作者：吴灵犀,张泽华,陈廷杰,万寿科,何宏家,曹福年,孟庆惠,李永康,
来源：红外研究 年份：2004
半绝缘GaAs单晶是制备多种半导体器件的衬底材料,在外延生长等工艺条件下受热后往往产生一低阻表面层,伴随着电阻率变化还会有表面导电类型的转变和光致发光谱的变化。这些...
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