搜索筛选:
搜索耗时1.6461秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：吴焕达,,
来源：厦门大学 年份：2014
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料。然而金属/Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应,...
相关搜索：
