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[学位论文] 作者：吴顶和,,
来源： 年份：2008
随着功率MOSFET的工作电压和电流大幅度增加、芯片尺寸的不断减小,导致功率MOSFET器件芯片的内部电场进一步增大。这些因素对功率MOSFET的可靠性提出了挑战。不断提高器件的...
[期刊论文] 作者：吴顶和,沈萌,邵雪峰,俞宏坤,,
来源：半导体学报 年份：2008
为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究.利用有限元分析、电路模拟及可靠性加速实验,确定...
[期刊论文] 作者：吴顶和,方强,邵雪峰,俞宏坤,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
光发射显微镜（PEM）系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化（OBIRCH）功能和光发射（EMMI）功能，从正面可直接对功率器件大的漏电流进行......
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