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[学位论文] 作者：周伦茂,,
来源：厦门大学 年份：2004
GaN材料作为一种宽禁带半导体材料、相比于其他半导体材料具有许多突出的特点比如高电子漂移饱和速度、良好的导热性能、化学稳定性高,这是如此得到了快速的发展和被广泛应用...
[期刊论文] 作者：卜庆典,周伦茂,龙浩,应磊莹,郑志威,张保平,,
来源：半导体技术 年份：2017
Ni/Ag/Ti/Au金属系反射镜电极广泛用于GaN基垂直结构发光二极管(LED)的传统制造工艺。这种电极需要进行高温长时间整体退火才能获得高质量的欧姆接触,但对电极的反射率和器件...
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