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[会议论文] 作者：周卫东[1]孙慧[2]陈小兵[2],
来源：2006年全国电子显微学会议 年份：2006
用于铁电随机存储器(FeRAMs)的铁电薄膜,要求与现有的半导体工艺兼容、大剩余极化(2Pr)和优良的抗疲劳性能等.层状钙钛矿结构铁电材料(bismuth layer-structured ferroelectr...
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