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[期刊论文] 作者：周寿通,
来源：半导体技术 年份：1991
从电极设计、台面造型和尺寸控制、降低高温漏电流及反向软恢复等四个方面提出了玻璃钝化整流二极管芯片的国产化设计方案。经二极管引进线的规模生产实施和相应的成品二极管...
[期刊论文] 作者：周寿通,
来源：半导体光电 年份：1984
在对光电流失控分析的基础上,讨论了硅光敏三极管的二次击穿转折电流IM(无光照)与器件工作稳定性的关系。提出了用IM值作为表征器件稳定工作范围的参数。光电流失控过程的初...
[期刊论文] 作者：郑国祥,周寿通,
来源：半导体学报 年份：1990
采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探...
[期刊论文] 作者：郑国祥,闵靖,周寿通,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
讨论了硅片中氧沉淀形成的机理，推荐一种本征吸除的改进技术，用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中，用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺......
[会议论文] 作者：郑国祥,邬建根,周寿通,
来源：中国光学学会第四届光电器件学术交流会 年份：1989
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[期刊论文] 作者：郑国祥,周寿通,屈逢源,邬建根,郑凯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流....
[期刊论文] 作者：郑国祥,周寿通,屈逢源,邬建根,郑凯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.In order to reduc...
[期刊论文] 作者：郑国祥,周寿通,邬建根,王昌平,屈逢源,丁志发,
来源：应用科学学报 年份：1991
以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果...
[期刊论文] 作者：郑国祥,邬建根,王昌平,朱景兵,屈逢源,周寿通,
来源：半导体学报 年份：1990
采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探...
[期刊论文] 作者：马碧兰,朱景兵,邬建根,张继昌,周寿通,屈逢源,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温（80～4.2K）下硅的红外吸收谱中1127cm-1处的吸收是硅中氧的吸收峰....
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