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[期刊论文] 作者：罗晋生,周彩弟,
来源：半导体技术 年份：2004
本文概述了椭园仪在研究半导体表面离子注入层的应用,并给出了用椭园仪多入射角法测得的砷化镓单晶抛光面的光学常数及离子注入硅表面的光学常数。根据测量结果算出了测量砷...
[期刊论文] 作者：范永平,罗晋生,周彩弟,
来源：半导体学报 年份：1986
本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火,证实了它与常规热退火具有相同的再结晶机理——固相外延再结晶过程.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高...
[期刊论文] 作者：唐敦乙,周彩弟,沈伯礼,
来源：真空科学与技术 年份：1988
本文描述了一种对离子注入半导体进行均匀大面积退火用的矩形截面电子束——电子帘。用此电子帘对注入能量为100keV,注入剂量为10~(15)cm~(-2)的注P~+硅样品,以及能量为40keV...
[期刊论文] 作者：罗晋生,陈敏麒,周彩弟,
来源：西安交通大学学报 年份：1981
本文包括三个方面:(一)比较了用剥层椭偏光法和背散射法测得的注P~+硅中的损伤分布.实验结果表明,当注入剂量为5×10~(14)/厘米~2、10~(15)/厘米~2及10~(10)/厘米~2时,注入区...
[期刊论文] 作者：周彩弟,罗晋生,朱秉升,
来源：西安交通大学学报 年份：1983
本文研究了N~+注入硅表面上Al_2O_3膜后,离子注入层在稀释氢氟酸中的增强腐蚀效应.实验研究了N~+的注入剂量分别为2×10~(14)/厘米~2、5×10~(14)/厘米~2、1.3×10~(15)/厘米...
[期刊论文] 作者：周世禄,朱秉升,周彩弟,罗晋生,
来源：西安交通大学学报 年份：1987
本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~+注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec...
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