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[期刊论文] 作者：孙彦卿,唐仁兴,
来源：辽宁大学学报：自然科学版 年份：1989
一 MOS场效应四极管的特性图1是一个在P型Si衬底上制造的Al栅n沟道MOS场效应四极管的截面图。两个n+扩散区分别作为源、漏接触电极。中间n-扩散区用来连接两个沟道,相当...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,唐仁兴,
来源：辽宁大学学报：自然科学版 年份：1989
本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,石广元,唐仁兴,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
本文从Yau的模型出发,推导出短沟道MOS FET阈电压V_T与温度关系的表达式,得到了与实验一致的结果.Based on Yau’s model, this paper derives the expression of the rela...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,唐仁兴,石广源,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
本文以单栅MOSFET物理模型为基础,导出双栅MOSFET物理模型.该模型不但考虑了栅压对沟道长度的调制效应,而且考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响.由该模型导出的双栅M OSFE...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,唐仁兴,石广源,,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：1989
本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,唐仁兴,石广源,,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：1989
一 MOS场效应四极管的特性图1是一个在P型Si衬底上制造的Al栅n沟道MOS场效应四极管的截面图。两个n~+扩散区分别作为源、漏接触电极。中间n~-扩散区用来连接两个沟道,相当于...
[期刊论文] 作者：孙彦卿,石广源,唐仁兴,李蓬,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：1988
本文从yau的模型出发,推导出短沟道MOSFET阈电压表达式:得到了与实验一致的结果;并发现,短沟道器件更适合于低温下工作。...
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