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[学位论文] 作者：唐伟闻,
来源：大连理工大学 年份：2022
第三代半导体的蓬勃发展使得氮化镓（GaN）以其特殊的结构特性、电学特性以及光学特性成为当前研究的热点。近年来GaN基相关器件的发展十分迅猛,但缺少合适的衬底材料仍是亟待解决的问题。工业上一般用蓝宝石（α-Al2O3）,碳化硅（SiC）以及硅（Si）作为衬底材料,但他们都存在某......
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