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[期刊论文] 作者:洪文玉,唐素筠,
来源:核聚变与等离子体物理 年份:1991
本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。...
[期刊论文] 作者:洪文玉,唐素筠,
来源:四川真空 年份:1990
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[期刊论文] 作者:洪文玉,唐素筠,
来源:四川真空 年份:1991
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[期刊论文] 作者:唐素筠,常淑芬,
来源:核聚变与等离子体物理 年份:1989
一、引言在聚变等离子体中控制杂质的污染被认为是获得高温等离子体的重要问题之一。因此对材料要进行优化选择,例如石墨和碳就是目前有利的孔栏材料和结构材料。但是由...
[期刊论文] 作者:赵嘉学,唐素筠,
来源:薄膜科学与技术 年份:1993
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[期刊论文] 作者:王贵义,王世忠,唐素筠,
来源:核聚变与等离子体物理 年份:1989
近年来,磁控溅射已成为重要的薄膜沉积技术之一。我国于1982年研制成功第一台磁控溅射镀膜机,比国外只晚几年。随后生产出各种中、小型磁控溅射镀膜机,主要用于制镜和美术陶...
[期刊论文] 作者:冯广泽,洪文玉,唐素筠,孙立,,
来源:真空科学与技术 年份:1981
本文叙述了 Ar 气或 Ar+O_2混合气中直流辉光放电清洗不锈钢表面。四极质谱计分析表明,去除了表面上的碳氢化合物和其它杂质气体,同时经过溅射刻蚀减少了表面粗糙度,也减小了...
[期刊论文] 作者:洪文玉,唐素筠,常淑芬,关红宇,
来源:核聚变与等离子体物理 年份:1991
本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。In this paper, surface analys...
[期刊论文] 作者:冯广泽,洪文玉,唐素筠,王伟,晏德荣,
来源:核聚变与等离子体物理 年份:1984
一、引 言 在聚变装置真空室里由于等离子体与第一壁表面相互作用,使得器壁局部过热蒸发产生杂质气体,如H_2O,CO,CH_4,C等。这些气体在托卡马克装置放电期间将会导致等离子...
[期刊论文] 作者:洪文玉,姚良骅,唐素筠,常淑芬,李国栋,
来源:中国核科技报告 年份:1992
利用HL-l装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的TiC、SiC涂层和壁碳化。对辐照前后的样品进行俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM),X射线光电子谱(XPS)和X射线衍射谱(XDS)分析...
[期刊论文] 作者:唐素筠,常淑芬,洪文玉,李国栋,朱毓坤,,
来源:核聚变与等离子体物理 年份:1989
一、引言在聚变等离子体中控制杂质的污染被认为是获得高温等离子体的重要问题之一。因此对材料要进行优化选择,例如石墨和碳就是目前有利的孔栏材料和结构材料。但是由于碳...
[期刊论文] 作者:朱毓坤,冯广泽,严东海,洪文玉,唐素筠,张年满,徐云仙,
来源:真空科学与技术 年份:1989
对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H2O来源于器壁上受放电激活...
[期刊论文] 作者:朱毓坤,严东海,王明旭,张年满,唐素筠,孙立,李国栋,
来源:核聚变与等离子体物理 年份:1988
本文对HL-1装置欧姆加热放电时,等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。质谱分析定性地指出,主要气相杂质H_2O来自零级表面化学反应,CH_4来自多步骤合成表面化学反应,CO(CO_...
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