搜索筛选:
搜索耗时2.3960秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 2 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：商亚峰,,
来源：中国新技术新产品 年份：2018
半导体器件制备过程中,Si O2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注入完成之后,氧化层的性质和结构会发生较大...
[期刊论文] 作者：商亚峰,,
来源：科学技术创新 年份：2018
功率半导体器件做为开关使用时,其动态参数对器件的功耗起着决定性的影响。本文通过实验,分析了场效应晶体管MOSFET的Qg参数对器件工作过程中功耗的影响。...
相关搜索：
