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[期刊论文] 作者：胡毅,李振国,侯佳力,国千崧,邓新伟,胡伟波,
来源：半导体技术 年份：2022
为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR) ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数字码,并利用180 nm CMOS工艺实现和验证了此ADC结构.该结构一方面可以缩短产......
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