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[期刊论文] 作者：夏培邦,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文介绍将连续方程获得的光电流模型,成功地用于SPICE—Ⅱ中,以预示晶体管和二极管的瞬态响应。...
[期刊论文] 作者：夏培邦,
来源：电子学报 年份：1993
本文从连续性方程和粒子通量方程出发,导出了矩形y辐射脉冲作用下双极器件中光电流的数学模型;论述了扩散电阻的光电流效应和电导调制效应,以及扩散电阻随γ剂量率变化的模型...
[期刊论文] 作者：杨杰,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1991
本文对详细布线介绍一种用最短路径的方法选择布线路径,重点提出了几条启发式的布线原则和函数表达式。通过组建一张带权有向图,然后用最短路径算法获得布线解。本文的方法巳...
[期刊论文] 作者：杨杰,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1993
本文强调布图CAD技术对发展模拟ASIC的重要性和必要性。简述通用电路布图CAD各阶段内容及其算法。着重讨论模拟ASIC布图的特殊性及其典型模式。...
[期刊论文] 作者：肖鹏,黄燕,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1999
文中从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手,推出一套适用于计算机模拟的数学模型、实验方法,由辐射下的瞬时电流即时地计算出相应的损伤常数,计算出晶体...
[期刊论文] 作者：黄燕,肖鹏,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1999
从双极器件在快中子脉冲辐射下Frenkel缺陷的产生及其退火机理出发,推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)和电荷浓度变化的数学模型。同时,给出器件中子脉冲作用下退火规律研...
[会议论文] 作者：肖鹏,黄燕,夏培邦,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
众所周知，晶体管中子损伤常数随发射极电流密度的变化而变化。而双极IC中的每只昌体管爱中子辐射时电流的大小一般而言不能事先估计，从而使得中子损伤常数也是一未知数。如果能......
[会议论文] 作者：黄燕;肖鹏;夏培邦;,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
快中子脉冲辐射将在双极器件中导入Frankel缺陷，这严重地降低了双极IC的性能，但这些缺陷的一部分能很快自动消除，从而又使器件性能部分恢复，这主要表现为器件的β陡然降低，然后再......
[会议论文] 作者：黄燕;夏培邦;肖鹏;,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
快中子脉冲辐射将在双极器件中导入Frandel缺陷，这严重地降低了双极IC的性能，但这些缺陷的一部分能很快自动消除，从而又使器件性能部分恢复，这主要表现为器件的β陡然降低，然后再......
[会议论文] 作者：杨杰,夏培邦,张元莉,
来源：全国第六届IC CAD学术年会 年份：1991
该文介绍一种新的四边通道布线器（ｓｗｉｔｃｈｂｏｘ ｒｏｕｔｅｒ）Ｄ ＤＣＲ，该布线器上基于启发式原则提出的，其最大特点的采用了一种动态定序算法，布线中决定连线顺序。该布线器采用Ｈ／Ｖ方式布线，布线过程是串行的。ＤＤＣＲ由Ｃ语言......
[期刊论文] 作者：范麟,严顺炳,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1990
本文介绍了可广泛用于IC电路设计的线性IC电路模拟系统。主要叙述了电路模拟软件实用功能设计,新的器件模型的建立;叙述了把电路模拟与实际工艺结合起来的参数提取程序的设计...
[期刊论文] 作者：杨杰,夏培邦,严顺炳,张元莉,
来源：微电子学 年份：1992
本文介绍一种新的四边通道布线器(DDCR),该布线器基于启发式原则提出,并应用动态布线密度和约束图完成线网定序和连线段选择。DDCR是H/V方式布线,该程序由C语言写成,运行于VA...
[会议论文] 作者：肖鹏;陈昌彦;胡永贵;夏培邦;黄燕;,
来源：第十届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2000
用于空间卫星的一些电子元器件、集成电路要求其具有抗γ总剂量辐照加固能力。为缩短试验周期、降低试验成本，作者建立了一套低能X射线辐照系统，能够方便及时地对星用MOX器件、......
[会议论文] 作者：肖鹏,陈昌彦,胡永贵,夏培邦,黄燕,
来源：第十届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2000
用于空间卫星的一些电子元器件、集成电路要求其具有抗γ总剂量辐照加固能力。为缩短试验周期、降低试验成本，作者建立了一套低能X射线辐照系统，能够方便及时地对星用MOX器件、A/D转换器、D/A转换器、小型化DC/DC模块进行抗γ总剂量性能模拟辐照和测试.而低能X射......
[期刊论文] 作者：胡永贵,谭开州,张家斌,张正,肖鹏,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1999
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献,得...
[期刊论文] 作者：胡永贵,谭开州,张家斌,张正璠,肖鹏,夏培邦,
来源：微电子学 年份：1999
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献,得...
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