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[学位论文] 作者：多亚军,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
碳化硅（SiC）是具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性的第三代宽禁带半导体材料。SiC MOS器件是目前研究的热点，但由于SiO2/SiC的界面态密度很高导致器件反型沟道迁移率较...
[期刊论文] 作者：齐月姿,多亚军,韩勇,刘艳洲,,
来源：内蒙古水利 年份：2014
文章结合本地区水资源分布特征与水资源开发利用现状,为解决当前主要存在的缺水问题,提出对策建议。Combining with the distribution characteristics of water resources...
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