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[学位论文] 作者:姚毓明, 来源:南京大学 年份:1990
[会议论文] 作者:叶亲翔,姚毓明, 来源:'96全国第六届MIC电路及工艺会议 年份:1996
[期刊论文] 作者:姚毓明,葛爱慧, 来源:航天电子对抗 年份:1996
介绍用CAD方法设计Ku波段接收机中的低噪声放大器(LNA),并由此成功地研制出14~16GHz低噪声放大器。放大器采用两级HEMT管,指标达到NF≤1.5dB,G≥20dB,△G≤±0.5dB。This pa...
[期刊论文] 作者:郝冠军,姚毓明,郑晨焱,夏先齐,, 来源:航天电子对抗 年份:1993
叙述了采用先进的全平面自对准Si、Mg离子共注入技术的X波段功率GaAs MESFET的设计及制作工艺。采用0.5μm难熔“T”型复合栅及非对称的源、漏结构提高可靠性和击穿电压。在...
[期刊论文] 作者:顾秉林,王强,楼永明,姚毓明, 来源:中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份:1987
本文从电-声子系统的完整的Hamilton量出发,通过正则变换把电子系统转化为极化子系统,获得了等效Hamilton量的四个参量与电-声子耦合强弱的关系,指出随着电-声子耦合的增强,系统的基态变成Heilter-London(H-L)双极化子态最后达到 Anderson双极化子态的可能性。......
[期刊论文] 作者:姚毓明,李剑平,曾志斌,陈存礼,, 来源:航天电子对抗 年份:1993
介绍一种用于GaAs功率MESFET制作的新型耐高温欧姆接触金属化结构:Ge/Ni/TiWN/Au。对其制作工艺和接触特性作了研究。与低共熔AuGeNi合金的液相反应相比,它通过固一固相反应...
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