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[会议论文] 作者：姚邵康[1]徐德辉[2]蒋万里[1]熊斌[2]王跃林[2],
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
文中基于杨氏模量随温度的变化是源于晶格热膨胀的机理,并结合描述晶格热膨胀与定容比热关系的Grüneisen关系式,本论文理论推导了单晶硅杨氏模量随温度变化的表达式.通过理...
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