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[学位论文] 作者：姜保政,
来源：南京理工大学 年份：2006
本文通过“合成渐近”法得到有耗衬底射频集成电路中几种基本元器件的CAD公式。硅基射频集成电路采用硅衬底，其中上层介质（SiO）很薄，下层介质（Si）有耗并接地，硅衬底采用高阻硅。通过......
[会议论文] 作者：姜保政,唐万春,
来源：2005全国微波毫米波会议 年份：2006
本文采用合成渐近线技术推导出了非对称带状线的CAD公式.该公式简单,准确,物理意义清晰.和数值结果比较,平均误差小于1﹪....
[会议论文] 作者：姜保政,唐万春,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
本文采用"合成渐近"技术推导出了两层无耗介质和有耗介质(Si和SiO2)上贴片电容的CAD公式.采用"合成渐近"技术得到的公式简单、准确(误差＜2％),并且有清晰的物理内涵.本文中下层硅衬底为高阻硅(σ≤1S/m),上层介质很薄,其厚度小于等于正方形贴片电容宽度的20％.......
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