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[学位论文] 作者：姜元希,
来源：桂林电子科技大学 年份：2021
GaN作为第三代半导体材料的代表,其宽带隙、热稳定及有着良好的物理化学性质的特点使其成为半导体工业的理想材料。GaN基器件在生产生活中有着广泛的应用,相关的科研工作也在持续开展,但大部分器件都是建立在异质外延的基础上进行的。异质外延会导致衬底同器件......
[期刊论文] 作者：姜元希, 刘南柳, 张法碧, 王琦, 张国义,,
来源：人工晶体学报 年份：2020
氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表。因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料。采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基...
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