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[期刊论文] 作者:娄书礼,陶有迁,
来源:核电子学与探测技术 年份:1995
低噪声GaAs FET和功率GaAs FET经中子辐射都未发生致命性的通或断失效,直流偏置伏态下,其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流IDSS的退化降低,据此提出了IDSS退化失效与快中子注量φn之间的解析关键式lny=a+blnφ。......
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