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[期刊论文] 作者：娄书礼，陶有迁,
来源：核电子学与探测技术 年份：1995
低噪声ＧａＡｓ ＦＥＴ和功率ＧａＡｓ ＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效，直流偏置伏态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流ＩＤＳＳ的退化降低，据此提出了ＩＤＳＳ退化失效与快中子注量φｎ之间的解析关键式ｌｎｙ＝ａ＋ｂｌｎφ。......
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