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[学位论文] 作者：孔云川,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2002
该文系统研究了In(Ga)As/GaAs量子点的分子束外延生长的光学性质,以及量子点激光器的制备和性能.主要内容和结果如下:(1)用AFM,PL等手段系统研究了分子束外延生长的In(Ga)As/...
[会议论文] 作者：张洪洲,孔云川,汪玉萍,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
基于对纳米硅量子线生长直径的分析以及透射电子显微镜（ＴＥＭ）的观察，该文给出了一个简单物理蒸发方法生长纳米硅量子线的生长模型。研究人员发现纳米硅量子线的平均直径随环境气压的增大而增大。在ＴＥＭ高分辨象中，可清楚地观察到硅线内的催化剂颗粒及硅线直径的周期性失稳现......
[会议论文] 作者：张洪洲[1]孔云川[1]汪玉萍[2],
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
基于对纳米硅量子线生长直径的分析以及透射电子显微镜（ＴＥＭ）的观察，该文给出了一个简单物理蒸发方法生长纳米硅量子线的生长模型。研究人员发现纳米硅量子线的平均直径随环境气压的......
[期刊论文] 作者：周大勇,澜清,孔云川,苗振华,封松林,牛智川,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了分子束外延中引入原子氢后 ,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用 .原子力显微镜 (AFM)测试表明 ,在 (311) A Ga As表面 ,原子氢导致了台阶状形貌的形成 ,在这种...
[期刊论文] 作者：孔云川,周大勇,澜清,刘金龙,苗振华,封松林,牛智川,
来源：人工晶体学报 年份：2002
用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料,并制成发光二极管,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究.观察到两个明显的电致发光峰,分别对...
[期刊论文] 作者：澜清,周大勇,孔云川,边历峰,苗振华,江德生,牛智川,封松林,
来源：人工晶体学报 年份：2002
通过引入较长停顿时间,采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点,在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰. 通过AFM和PL谱的联合研究,表...
[期刊论文] 作者：李永平,澜清,吴正龙,周大勇,孔云川,牛智川,田强,杨锡震,王亚非,
来源：半导体学报 年份：2003
用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量...
,Atomic hydrogen induced step bunching and fabrication of quantum wire arrays on GaAs (311)A substra
[期刊论文] 作者：Zhou Da-Yong(周大勇),Lan Qing(澜清),Kong Yun-Chuan(孔云川),Miao Zhen-Hua(苗振华),Feng Song-Lin(封松林),Niu Zhi-Chuan,
来源：中国物理（英文版） 年份：2003
Atomic hydrogen assisted molecular beam epitaxy (MBE) is a novel type of epitaxial growth of nanostructures.and the space period is around 40nm. The step arrays...
,A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3μm emitting InAs/GaAs quantum dots grow
[期刊论文] 作者：Kong Yun-Chuan(孔云川),Zhou Da-Yong(周大勇),Lan Qing(澜清),Liu Jin-Long(刘金龙),Miao Zhen-Hua(苗振华),Feng Song-Lin,
来源：中国物理（英文版） 年份：2003
1.3μm emitting InAs/GaAs quantum dots (QDs) have been grown by molecular beam epitaxy and QD light emit ting diodes (LEDs) have been fabricated. In the electro...
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