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[学位论文] 作者：孙世闯,
来源：华中科技大学 年份：2017
近年来，Ⅲ-Ⅴ族GaN材料及AlGaN/GaN异质结由于临界击穿场强高、热传导性好、电子饱和迁移率快和电子面密度高等优点在高频、高压和大功率器件的应用使其得到国内外广泛关注。...
[期刊论文] 作者：李淑萍,孙世闯,张宝顺,,
来源：半导体技术 年份：2017
研究了低温（LT）GaN和AlN不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN金属有机化学气相沉积外延中存在的记忆效应的影响,外延生长p-GaN缓冲层,制作具有该缓冲层的Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管...
[期刊论文] 作者：李淑萍,孙世闯,张宝顺,,
来源：微纳电子技术 年份：2017
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气...
[期刊论文] 作者：李淑萍,孙世闯,张宝顺,
来源：微纳电子技术 年份：2017
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气...
[会议论文] 作者：宋亮,付凯,张志利,孙世闯,于国浩,蔡勇,张宝顺,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点.然而随着AlGaN/GaN HEMT器件所处理电压电流值的增加,电流崩塌现象,即AlGaN/GaN HEMT器件在动态下工作时输出电流降低的现象,......
[会议论文] 作者：张志利,蔡勇,于国浩,付凯,张晓东,孙世闯,宋亮,张宝顺,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
在这篇文章中,主要通过标准的F离子注入技术实现增强型metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors(MIS-HEMT)器件,8nm的LPCVD-Si3N4作为栅介质的同...
[期刊论文] 作者：刘翌寒, 曹伟, 李绍娟, 李洋, 孙世闯, 付凯, 陈长清,,
来源：发光学报 年份：2015
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[期刊论文] 作者：刘翌寒,曹伟,李绍娟,李洋,孙世闯,付凯,陈长清,张宝顺,,
来源：发光学报 年份：2015
通过MOCVD和CVD生长技术,利用高Al组分Al Ga N和单层石墨烯材料进行纵向集成,成功制备了日盲紫外-近红外双色探测器。在工作温度为室温、调制频率为209 Hz以及工作电压分别为...
[会议论文] 作者：孙世闯,付凯,于国浩,张志利,宋亮,陈长清,蔡勇,张宝顺,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
由于AlGaN/GaN异质结二维电子气密度高,加之GaN材料具有击穿电场强度高、电子饱和漂移速率高等优点,因此GaN基HEMT在高频大功率电子器件领域具有极高的应用价值.实现高耐压是AlGaN/GaN HEMT器件在高温以及大功率环境下应用的重要条件之一.采用连接源极或者漏极......
[会议论文] 作者：宋亮[1]付凯[1]张志利[1]孙世闯[2]于国浩[1]蔡勇[1]张宝顺[1],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点.然而随着AlGaN/GaN HEMT器件所处理电...
[会议论文] 作者：李森林,陈长清,孙世闯,齐志强,李洋,田武,徐巍,吴志浩,戴江南,方妍妍,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本文利用自组织生长技术通过MOCVD对Ge衬底上生长高质量InAs/GaAs量子点结构进行研究.通过AFM,TEM和PL研究表明,利用AlGaAs插入层技术不但有助于消除GaAs在Ge上外延时形成的反相畴及界面扩散问题,而且Al组分的含量也可以影响量子点的成核生长,提高材料的晶体性......
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