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[学位论文] 作者：孙乐尚,,
来源：安徽大学 年份：2004
随着微电子技术的快速发展,集成电路的集成度迅速提高,晶体管作为集成电路的基本单元,其结构尺寸也在不断缩小。MOSFET尺寸的缩小,可以减小器件体积,提高器件性能,降低系统功...
[期刊论文] 作者：柯导明,杨建国,常红,杨菲,胡鹏飞,彭雪扬,孙乐尚,吴笛,,
来源：中国科学:信息科学 年份：2017
本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米MOSFET的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×10~(15)~1×10~(16)cm~(-3)、沟道长度是45～2000 nm的平面n MOSFET和n LDD-MOSFET的漏/......
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