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[会议论文] 作者：孙健[1]白敏冬[1]白希尧[2]储金宇[3],
来源：中国物理学会第十三届静电学术年会 年份：2006
文中讨论了目前等离子体隐身技术研究中几个关键问题:1)由于等离子体在放电通道中复合率低于10-6,因此源外的等离子体寿命并非位ns级;2)由于气体电离度≤10-4,低气压射频辉光...
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