搜索筛选:
搜索耗时1.9270秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：孙哲霖,,
来源：西安电子科技大学 年份：2014
由于突出的材料特性和器件结构优势以及相对成熟的器件制备工艺,Si C MESFET在微波功率应用中具有很大的竞争优势,被认为是高温、高压、高辐射等严苛环境条件下的理想微波功...
[会议论文] 作者：裴晓延,孙哲霖,贾护军,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文提出了一种具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET器件结构.仿真结果表明,具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET饱和漏极电流比传统结构大18.8％,并且击穿电...
[会议论文] 作者：孙哲霖,裴晓延,贾护军,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文提出了一种具有p型板的4H-SiC MESFET(PP-MESFET),利用栅漏漂移区上的p型板结构引入了减小表面场技术.p型板与n型沟道形成的pn结产生了垂直耗尽区,通过与沟道水平耗尽区...
[期刊论文] 作者：王志燕,贾护军,毛周,李泳锦,成涛,裴晓延,孙哲霖,,
来源：半导体光电 年份：2014
设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进...
相关搜索：
