搜索筛选:
搜索耗时2.2239秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 2 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：孙琬茹,,
来源：北京工业大学 年份：2020
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称为IGBT)作为高压大功率半导体开关器件,经常在高电压大电流的环境下工作。为保证芯片能够长期稳定高效地安全工作,应使得IGBT芯片内部的电流电压等电学特性参数以及温度分布尽量均匀分布,防止出现因......
[期刊论文] 作者：孙琬茹,王耀华,刘江,高明超,李立,李翠,聂瑞芬,金锐,
来源：机车电传动 年份：2021
高压IGBT在导通或关断时是先从栅焊盘处获得驱动信号,然后再依靠多晶硅层通向芯片的各个区域.由于多晶硅层形成的栅分布电阻效应使得芯片内元胞对栅驱动信号的反应时间不同,芯片内各个元胞不能同时开启或关断,因此IGBT芯片在开关过程中容易产生电流集中现象,尤......
相关搜索：
