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[期刊论文] 作者：孙铁平,曾正中,丛培天,
来源：强激光与粒子束 年份：2005
延迟击穿器件(DBD)是一种新型半导体开关.研究了国产PIN二极管的延迟击穿效应,主要进行了单管、串联双管和串并联多管阵列PIN二极管器件的延迟击穿实验.实验结果显示,单管、...
[会议论文] 作者：孙铁平;曾正中;丛培天;,
来源：第九届高功率粒子束学术交流会 年份：2004
延迟击穿开关(DBD)是一种新型半导体开关,它具有低抖动、高重复频率、不需外触发等优点,能够有效的限制预脉冲,提高上升时间,可以应用于电磁脉冲源、触发源、高功率微波、脉...
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