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[学位论文] 作者：孟骁然,,
来源：上海工程技术大学 年份：2016
随着超大规模集成电路的集成度不断增加,晶体管单元尺寸不断缩小,硅材料逐渐达到了其理论上的物理极限。为了持续摩尔定律的增长趋势,具有高迁移率的半导体锗(Germanium:Ge)...
[期刊论文] 作者：王立会, 郭伟龙, 张姗, 孟骁然, 赵广宏, 李文博, 尹,
来源：遥测遥控 年份：2017
SiO2薄膜是薄膜压力传感器绝缘层的一种常用材料,其性能直接影响着传感器的抗电能力。利用化学气相沉积系统（CVD）对SiO2薄膜的制备工艺进行了探索和优化,通过改变射频功率、反...
[期刊论文] 作者：平云霞,王曼乐,孟骁然,侯春雷,俞文杰,薛忠营,魏星,张苗,,
来源：物理学报 年份：2016
文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟...
[期刊论文] 作者：王立会, 郭伟龙, 张姗, 孟骁然, 赵广宏, 李文博, 尹玉刚,
来源：遥测遥控 年份：2017
...
[期刊论文] 作者：孟骁然,平云霞,常永伟,魏星,俞文杰,薛忠营,狄增峰,张苗,张波,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2015
本文详细研究了高锡含量锗锡合金(Ge_(0.92)Sn_(0.08))与镍在退火条件下的反应。通过表层电阻测试、原子力显微镜和透射电镜等表征手段,我们分别研究了镍锗锡材料在300℃、40...
Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature anne
[期刊论文] 作者：孟骁然,平云霞,俞文杰,薛忠营,魏星,张苗,狄增峰,张波,赵清太,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Solid reactions between Ni and relaxed Si_(0.7)Ge_(0.3) substrate were systematically investigated with different Al interlayer thicknesses. The morphology, com...
[期刊论文] 作者：平云霞,王曼乐,孟骁然,侯春雷,俞文杰,薛忠营,魏星,张苗,狄增峰,张波,,
来源：物理学报 年份：2016
文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟...
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