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[期刊论文] 作者:季良赳, 来源:太阳能学报 年份:1983
本文对p-Ga1-xAl+xAs/p-GaAs/n-GaAs太阳电池收集效率的光谱响应和短路电流进行了计算,表明窗口层和窗口层漂移电场能有效地减小表面复合的影响,提高短波区的光谱响应。本文...
[期刊论文] 作者:季良赳, 来源:上海半导体 年份:1992
[期刊论文] 作者:季良赳,王诗(宀交), 来源:太阳能学报 年份:1983
本文在计算Al_(0.8)Ga_(0.2)As的折射率和反射率以及各种抗反射层下p-Al_(0.8)Ga_(0.2)As/p-GaAs/n-GaAs太阳电池的收集效率和短路电流时,考虑了入射光波长对Al_(0.8)Ga_(0.2...
[期刊论文] 作者:吴鼎芬,杨悦非,季良赳,忻尚衡,史常忻, 来源:固体电子学研究与进展 年份:1987
制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESF...
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