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[期刊论文] 作者：杨彪,季超仁,
来源：应用科学学报 年份：1992
在MOS器件的二维窄栅效应(NGE)的数值分析中;引入了迁移率模型.改进了chung-Sah的常数迁移率近似的结果.发现其电导曲线的斜率随棚压增大由增加变为减少;其阈值电压的窄栅效...
[期刊论文] 作者：季超仁,陆景唐,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
场限制环作为一种可与许多器件工艺相容的ＰＮ结终端得到了广泛应用。存在的一个问题是其效果随结构参数有过分敏感的变化。...
[会议论文] 作者：陆景唐,季超仁,
来源：中国电工技术学会电力电子学第五次学术会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：徐志平,季超仁,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文基于大多数p-n结的结面形状在平行于表面的横剖面上常表现为一由光刻图形的圆角决定的圆弧这一特点,提出了一种把三维计算简化为二维计算的数值计算方法.用此方法对平面p...
[期刊论文] 作者：季超仁,徐志平,赵国柱,
来源：电子学通讯 年份：1982
VVMOS晶体管是一种开有V形槽的垂直沟道高频功率MOS场效应器件,它的一个主要优点是与其它MOS器件一样不会发生二次击穿,然而近来一些作者报道MOS器件有负阻击穿效应,而这种负...
[会议论文] 作者：季超仁,陆景唐,倪锦发,
来源：中国电工技术学会电力电子学第五次学术会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：陆景唐,季超仁,李伟,宋汉斌,董鸣,
来源：上海大学学报：自然科学版 年份：1995
本文介绍了四连杆系统、三自由度平台等微机械组件的设计和研制，叙述了微加工工艺过程，提出了工艺难点和解决方法，据实际实验尺寸分别对四连杆和平台的运动特性作了数据值模拟，该......
[期刊论文] 作者：李伟,陆景唐,季超仁,宋汉斌,董鸣,蔡建中,
来源：光学精密工程 年份：1993
本文通过微平面机构的设计制造和测试研究,提出了一整套行之有效的工艺方法,所制造的微机构运动自如,文章还进一步探讨了有关运动、动力、摩擦等方面的问题。In this paper...
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