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[学位论文] 作者:寇语萌,,
来源:西北大学 年份:2004
近年来,二维材料由于其面内电子迁移率高、带隙对表面态十分敏感等独特的物理化学特性,在纳米光电器件领域受到广泛关注。其中,硒化铟(In2Se3)作为III-VI族半导体中重要的一种,...
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