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[学位论文] 作者：尉中杰,,
来源：电子科技大学 年份：2014
宽禁带材料GaN作为第三代半导体,某些电学性能较Si材料更优。基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)能够适应高温、高压、高频、大功率应用条件,是理想的新型功率半...
[会议论文] 作者：尉中杰;陈万军;周琦;,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
增强型技术是AlGaN/GaN HEMT功率器件领域的关键技术之一,本文提出一种新型场致隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT器件,该结构通过采用刻槽以及垂直栅结构等技术,在栅极施加电压调节...
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