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[期刊论文] 作者：冯子璇,崔浩祥,杨程辉,孙晓琴,牛新环,
来源：半导体技术 年份：2022
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H2O2)、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响.结果 表明,抛光液中H2O2体积分数为0.4％、pH值为8、甘......
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