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[会议论文] 作者：左国平[1]周剑良[2]柯国土[3]颜拥军[2]欧频[2]郭鹏伟[2],
来源：中国核学会2011年年会 年份：2011
基于蒙特卡罗方法软件MCNP模拟了GaN、SiC等几种典型宽带隙半导体材料在90 srβ放射源辐照下的辐射电离特性，包括辐射电离能量沉积，自由电子空间分布及自由电子谱分布等。研究...
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